[发明专利]摄像器件、摄像器件的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201410521129.7 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104576669B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 佐藤信也 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了摄像器件及其制造方法和电子装置。所述摄像器件包括:第一沟槽,所述第一沟槽设置在半导体基板的受光区域内的多个像素之间,所述半导体基板包括周边区域和所述受光区域,所述受光区域设置有均含有光电转换部的所述多个像素;和第二沟槽,所述第二沟槽设置在所述半导体基板的周边区域内,其中,所述半导体基板的设置有所述第一沟槽的部分的厚度与所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不同。所述电子装置设置有所述摄像器件。根据本发明,能够在保持聚焦特性的同时减少工序的数量。 | ||
搜索关键词: | 摄像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种摄像器件,其包括:第一沟槽,所述第一沟槽设置在半导体基板的受光区域内的多个像素之间,所述半导体基板包括周边区域和所述受光区域,所述受光区域设置有均包括光电转换部的所述多个像素;和第二沟槽,所述第二沟槽设置在所述半导体基板的所述周边区域内,其中,所述半导体基板的设置有所述第一沟槽的部分的厚度与所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的