[发明专利]一种用于钐钴磁体工件表面防护的方法有效
| 申请号： | 201410521148.X | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105529172B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 宋振纶;冒守栋;晏敏胜;聂霞;张丽娇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C23C14/22;C23C14/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于钐钴磁体工件表面防护的方法，在预处理的钐钴磁体工件表面沉积Ni系薄膜，再经真空热处理，得到表面防护的钐钴磁铁。本发明中，通过在钐钴磁铁表面沉积得到结构致密的Ni系薄膜，能够有效隔绝氧化介质，在Ni系薄膜表面再沉积防护膜，又能够进一步提高薄膜的防护性能；沉积的Ni系薄膜和Al2O3薄膜都具有优异的高温稳定性，能够在高温下有效防护钐钴，进而改善钐钴磁体工件在高温环境下会发生氧化导致磁性能衰减的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磁体 工件 表面 防护 方法 | ||
【主权项】：
一种用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，在预处理的钐钴磁体工件表面沉积Ni系薄膜，再经真空热处理，得到表面防护的钐钴磁铁；所述的Ni系薄膜为NiCrAlY薄膜，组成为Ni30Cr8Al0.5Y；所述的Ni系薄膜表面沉积有防护膜，所述的防护膜为氧化膜和/或氮化膜，所述的氧化膜为Al2O3膜、ZrO2膜、Cr2O3膜、TiO2膜、MgO2膜、SiO2膜中的至少一种；氮化膜为AlN膜、ZrN膜、CrN膜、TiAlN膜、MgN膜中的至少一种。
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