[发明专利]用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法有效
| 申请号： | 201410522199.4 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104241527B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 纪兴龙;吴良才;朱敏;饶峰;宋志棠;曹良良;孟云;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V‑Sb‑Te相变材料体系为在Sb‑Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100‑x‑ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V‑Sb‑Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb‑Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb‑Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb‑Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 sb te 材料 体系 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系，其特征在于，所述V‑Sb‑Te相变材料体系为在Sb‑Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100‑x‑ySbxTey，其中，0.5≤x/y<4，且50≤x+y≤99.99，所述V‑Sb‑Te相变材料体系在电脉冲作用下可以实现电阻率的可逆转变，实现存储数据的功能，其中，所述V‑Sb‑Te系列材料采用SbxTey合金靶以及V单质靶进行共溅射，或者使用Sb单质靶，Te单质靶和V单质靶三靶共溅射法制备。
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