[发明专利]背照式CIS产品的制作方法在审
| 申请号： | 201410522344.9 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104393006A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种背照式CIS产品的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底正面形成有晶体管，所述晶体管上形成有互连层；对所述半导体衬底背面进行减薄；在减薄后的半导体衬底的背面进行离子注入，在减薄后的半导体衬底中形成高能离子注入区；在半导体衬底背面形成滤光片。本发明从半导体衬底背面进行离子注入，控制离子注入区域的离子剂量、分布形貌，从而有利于CIS工艺稳定性和工艺控制。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 cis 产品 制作方法 | ||
【主权项】：
一种背照式CIS产品的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底正面形成有晶体管，所述晶体管上形成有互连层；对所述半导体衬底背面进行减薄；在减薄后的半导体衬底的背面进行离子注入，在减薄后的半导体衬底中形成高能离子注入区；在半导体衬底背面形成滤光片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410522344.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示装置及其制造方法
- 下一篇：一种液晶显示器及其阵列基板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
