[发明专利]一种测量IC塑封金线偏移量的方法在审
| 申请号： | 201410522931.8 | 申请日： | 2014-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN104217975A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 安静;曹阳根;吴文云;邓沛然;张峰;张涛 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种测量IC塑封金线偏移量的方法，其包括如下步骤：a)采集封装前金线的影像图和对金线进行编号；b)采集封装后金线的X-ray图；c)等比例叠加封装前后图；d)测量叠加后图片中的金线偏移量。本发明可无损直观地测量金线的偏移量，实现对非透明塑封料封装的非接触式模块中金线偏移情况的直接观察和偏移量的测量，可为后续的工艺改进和模具结构的优化提供依据，对提高塑封质量与效率具有重要价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 ic 塑封 偏移 方法 | ||
【主权项】：
一种测量IC塑封金线偏移量的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)采集封装前金线的影像图和对金线进行编号；b)采集封装后金线的X‑ray图；c)等比例叠加封装前后图；d)测量叠加后图片中的金线偏移量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
