[发明专利]绝缘体上硅抗辐射特性表征结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种绝缘体上硅抗辐射特性表征结构，包括衬底、绝缘埋层、顶层硅、绝缘介质层、接触电极一和接触电极二，所述衬底、绝缘埋层和顶层硅从下往上依次叠置，顶层硅底面面积小于绝缘埋层顶面面积，绝缘介质层堆积在绝缘埋层上并将顶层硅包覆，顶层硅具有P‑轻掺杂区、N+源重掺杂区和N+漏重掺杂区，绝缘介质层上开设有接触孔一和接触孔二，接触孔一与N+源重掺杂区连通，接触孔二与N+漏重掺杂区连通，接触电极一覆盖在接触孔一上并填满接触孔一，接触电极二覆盖在接触孔二上并填满接触孔二。此结构能够满足MOS栅、源、漏的基本组成结构，结构简单，方便测试和封装。工艺流程缩短，操作性强，缩短了实验时间，降低了生产成本。

主权项

一种绝缘体上硅抗辐射特性表征结构的制备方法，其特征是：所述绝缘体上硅抗辐射特性表征结构包括衬底（1）、绝缘埋层（2）、顶层硅（3）、绝缘介质层（4）、接触电极一（5）和接触电极二（6），所述衬底（1）、绝缘埋层（2）和顶层硅（3）从下往上依次叠置，顶层硅（3）底面面积小于绝缘埋层（2）顶面面积，绝缘介质层（4）堆积在绝缘埋层（2）上并将顶层硅（3）包覆，顶层硅（3）具有P‑轻掺杂区（31）、N+源重掺杂区（32）和N+漏重掺杂区（33），绝缘介质层（4）上开设有接触孔一（41）和接触孔二（42），接触孔一（41）与N+源重掺杂区（32）连通，接触孔二（42）与N+漏重掺杂区（33）连通，接触电极一（5）覆盖在接触孔一（41）上并填满接触孔一（41），接触电极二（6）覆盖在接触孔二（42）上并填满接触孔二（42），在绝缘体上硅上加工制备所述绝缘体上硅抗辐射特性表征结构，所述制备方法包括如下步骤：1）在顶层硅（3）上采用热氧化工艺形成SiO2钝化层（10）；2）在SiO2钝化层（10）上对欲保留的有源区进行光刻，在有源区上形成光刻胶阻挡层（20）；3）采用干法腐蚀，先腐蚀SiO2钝化层（10），再腐蚀顶层硅（3），腐蚀停止在绝缘埋层（2）上，未被腐蚀的顶层硅（3）部分和SiO2钝化层（10）部分组成有源区孤岛；4）采用热氧化工艺将露出的绝缘埋层（2）表面和露出的顶层硅（3）部分氧化形成一层SiO2阻挡层（30）；5）对顶层硅（3）内进行P阱注入，形成P‑轻掺杂区（31）；6）采用等离子体增强化学气相淀积，形成绝缘介质层（40）；7）在绝缘介质层（40）上进行接触孔光刻腐蚀，形成接触孔一（41）和接触孔二（42）；8）沿接触孔一（41）对顶层硅（3）内进行N+注入形成N+源重掺杂区（32），沿接触孔二（42）对顶层硅（3）内进行N+注入形成N+漏重掺杂区（33）；9）先采用氧化回流工艺在绝缘介质层（40）表面、接触孔一（41）、接触孔二（42）和顶层硅（3）露出部分形成一层掺杂硼和磷的SiO2层，然后再清洗除去所述SiO2层，最后采用等离子体增强化学气相淀积，在绝缘介质层（40）表面、接触孔一（41）和接触孔二（42）内形成金属叠层（50）；10）对金属叠层（50）进行光刻腐蚀，形成接触电极一（5）和接触电极二（6）。