[发明专利]一种单晶SiC及其制作方法在审
| 申请号： | 201410523774.2 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105506741A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 段兴 | 申请（专利权）人： | 段兴 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B7/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成。该单晶有完整单晶结构特性，以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成，设备简单，不需要特别条件，成本低、产量大；可二次补偿，缺陷容易控制，质量成品率高；晶圆尺寸不受限制，长度可控，可连续生成，适宜大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
涉及一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成，二次补偿也可不要，如模板适宜直接第一步即可形成单晶，其特征是：以定向附着生长（oreinted attachment）原理，形成网格状、集束、薄膜状的单晶SiC、或其复合体，具有完整SiC单晶结构特性。
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