[发明专利]产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法有效
| 申请号： | 201410525042.7 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104517005B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 袁磊;S·H·崔;桂宗郁;H·J·莱文森 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G03F1/70 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本文揭露一种产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法，该方法还含括产生一组心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则、以及虚拟、软体式非心轴金属掩膜。本方法也包括建立一组其为心轴掩膜规则仿件的虚拟非心轴掩膜规则、基于心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则及虚拟非心轴掩膜规则产生一组金属绕线设计规则、基于金属绕线设计规则产生电路绕线布局、将电路绕线布局分解成心轴掩膜图型及阻隔掩膜图型、产生对应于心轴掩膜图型的第一组掩膜资料、以及产生对应于阻隔掩膜图型的第二组掩膜资料。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜 心轴 掩膜图 阻隔 电路布局 金属绕线 绕线布局 设计规则 虚拟 图型化 自对准 绕线 产生电路 规则产生 金属掩膜 软体 制造 电路 分解 | ||
【主权项】：
1.一种产生集成电路的电路绕线布局的方法，该集成电路待使用自对准双图型化程序来制造，该方法包含：产生一组心轴掩膜规则；产生一组阻隔掩膜规则；产生一组虚拟非心轴掩膜规则，以确保在该自对准双图型化程序中分解程序的颜色对称性；基于所述心轴掩膜规则、所述阻隔掩膜规则、以及所述虚拟非心轴掩膜规则，产生一组金属绕线设计规则；以及基于所述金属绕线设计规则，产生该电路绕线布局。
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