[发明专利]晶圆积层体的分断方法及分断装置在审
申请号: | 201410525155.7 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN104658976A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 上村刚博 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/301;H01L21/67 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够不使用切割锯,而以干式的简单手段具效果且完美地进行分断的影像感测器晶圆的分断方法及分断装置。将玻璃晶圆(1)与硅晶圆(2)以配置成围绕各光电二极管形成区域(3)的树脂层(4)贴合而成的构造的影像感测器用晶圆积层体(W)的分断方法,是使刻划轮(10)沿玻璃晶圆(1)上面的分断预定线按压、转动,或者使钻石尖点相对移动而形成刻划线(S1),接着,沿硅晶圆(2)外表面的分断预定线照射激光,而在硅晶圆(2)外表面形成消蚀的沟槽(S2),进一步地,例如从玻璃晶圆(1)或硅晶圆(2)的外表面侧沿刻划线以按压构件(14)按压,使晶圆积层体(W)挠曲而分断玻璃晶圆(1)与硅晶圆(2)。 | ||
搜索关键词: | 晶圆积层体 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆积层体的分断方法,该晶圆积层体是具有将玻璃晶圆与硅晶圆隔着树脂层贴合而成的构造,其特征在于,具有:玻璃刻划步骤,借由刃前端,沿该玻璃晶圆外表面的分断预定线形成刻划线;及硅沟槽形成步骤,借由沿该硅晶圆外表面的分断预定线照射激光,而在该硅晶圆外表面形成消蚀的沟槽;在该玻璃刻划步骤及硅沟槽形成步骤之后,具有:分断步骤,沿各个刻划线或沟槽分断该玻璃晶圆及硅晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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