[发明专利]晶圆积层体的分断方法及分断装置在审

专利信息
申请号: 201410525155.7 申请日: 2014-10-08
公开(公告)号: CN104658976A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 上村刚博 申请(专利权)人: 三星钻石工业股份有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/301;H01L21/67
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 日本大阪府*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够不使用切割锯,而以干式的简单手段具效果且完美地进行分断的影像感测器晶圆的分断方法及分断装置。将玻璃晶圆(1)与硅晶圆(2)以配置成围绕各光电二极管形成区域(3)的树脂层(4)贴合而成的构造的影像感测器用晶圆积层体(W)的分断方法,是使刻划轮(10)沿玻璃晶圆(1)上面的分断预定线按压、转动,或者使钻石尖点相对移动而形成刻划线(S1),接着,沿硅晶圆(2)外表面的分断预定线照射激光,而在硅晶圆(2)外表面形成消蚀的沟槽(S2),进一步地,例如从玻璃晶圆(1)或硅晶圆(2)的外表面侧沿刻划线以按压构件(14)按压,使晶圆积层体(W)挠曲而分断玻璃晶圆(1)与硅晶圆(2)。
搜索关键词: 晶圆积层体 方法 装置
【主权项】:
一种晶圆积层体的分断方法,该晶圆积层体是具有将玻璃晶圆与硅晶圆隔着树脂层贴合而成的构造,其特征在于,具有:玻璃刻划步骤,借由刃前端,沿该玻璃晶圆外表面的分断预定线形成刻划线;及硅沟槽形成步骤,借由沿该硅晶圆外表面的分断预定线照射激光,而在该硅晶圆外表面形成消蚀的沟槽;在该玻璃刻划步骤及硅沟槽形成步骤之后,具有:分断步骤,沿各个刻划线或沟槽分断该玻璃晶圆及硅晶圆。
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