[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供一基板。形成一鳍状结构与一层内绝缘层于基板上。形成多个栅极结构于基板上。形成一顶盖层于栅极结构上。形成一硬掩模于顶盖层上。形成一第一图案光致抗蚀剂层于硬掩模上，第一图案光致抗蚀剂层覆盖栅极结构。蚀刻并图案化硬掩模，使图案化的硬掩模覆盖栅极结构。形成一第二图案光致抗蚀剂层于图案化的硬掩模上，第二图案光致抗蚀剂层包括至少一开口，开口对应于鳍状结构。蚀刻顶盖层与层内绝缘层以形成多个第一沟槽，第一沟槽裸露部分鳍状结构。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基板；形成一鳍状结构与一层内绝缘层于该基板上；形成多个栅极结构于该基板上；形成一顶盖层于该些栅极结构上；形成一硬掩模于该顶盖层上；形成一第一图案光致抗蚀剂层于该硬掩模上，其中该第一图案光致抗蚀剂层覆盖该些栅极结构；蚀刻并图案化该硬掩模，使该图案化的硬掩模覆盖该些栅极结构；形成一第二图案光致抗蚀剂层于该图案化的硬掩模上，其中该第二图案光致抗蚀剂层包括至少一开口，该开口对应于该鳍状结构，并将一部分的该图案化的硬掩模裸露；以及蚀刻该顶盖层与该层内绝缘层以形成多个第一沟槽，其中该些第一沟槽裸露部分该鳍状结构。