[发明专利]接触结构及形成方法以及应用其的回路

摘要

本发明公开了一种接触结构及形成方法以及应用其的回路。通孔形成于通过形成第一次叠层、第二次叠层、第一缓冲层、与第二缓冲层来形成的交替的有源层与绝缘层的一叠层中。第二次叠层位于第一次叠层上。第一缓冲层形成于第一次叠层与第二次叠层问。第二缓冲层形成于第一次叠层下。第一次叠层的一上层通过第一与第二刻蚀工艺通过一组通孔暴露出。第一刻蚀工艺形成通过第二次叠层并止于第一缓冲层或止于其中的第一组刻蚀通孔。第二刻蚀工艺刻蚀通过第一缓冲层至第一次叠层的上层。第三刻蚀工艺刻蚀通过第一组刻蚀通孔来通过第一次叠层并止于第二缓冲层或止于其中。第四刻蚀工艺刻蚀通过第二缓冲层。

主权项

一种在一层叠层中形成通孔的方法，包括：形成交替的有源层与绝缘层的一叠层，包括：形成一第一次叠层，该第一次叠层包括通过多个绝缘层分开的N个有源层；形成一第二次叠层于该第一次叠层之上，该第二次叠层包括通过多个绝缘层分开的M个有源层；以及形成一第一缓冲层于该第一次叠层与该第二次叠层之间，且形成一第二缓冲层于该第一次叠层之下；使用下列步骤利用一组通孔来暴露出该第一次叠层的一上层：使用一第一刻蚀工艺来进行刻蚀，以形成透过该第二次叠层并停止于该第一缓冲层或停止于该第一缓冲层之中的一第一组刻蚀通孔，且接着使用一第二刻蚀工艺来进行刻蚀，透过该第一缓冲层至该第一次叠层的该上层；以及使用下列步骤刻蚀透过该第一次叠层：使用一第三刻蚀工艺来进行刻蚀，利用该第一组刻蚀通孔来透过该第一次叠层并停止于该第二缓冲层或停止于该第二缓冲层之中，且接着使用一第四刻蚀工艺来进行刻蚀，透过该第二缓冲层。