[发明专利]具有填埋式彩色滤光片的图像传感器及其制备方法在审
申请号: | 201410526222.7 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104362162A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 胡思平;朱继锋;肖胜安;董金文 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种具有填埋式彩色滤光片的图像传感器及其制备方法,通过提供一具有引线的键合晶圆,并在键合晶圆上进行金属隔离栅制备工艺与填埋彩色滤光片的填埋工艺后,刻蚀暴露出引线开口,最终将彩色滤光片工艺与引线工艺结合在一起;本发明的实施方案较为简单、实现难度相对较小,能大大提高输出图像信号的传输速度与成像质量,同时该技术方案可以应用于前照式、背照式以及堆栈式等图像传感器中。 | ||
搜索关键词: | 具有 填埋式 彩色 滤光 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有填埋式彩色滤光片的图像传感器,其特征在于,包括:一键合晶圆,所述键合晶圆包括第一晶圆和键合第一晶圆之上的第二晶圆;所述第二晶圆顶部具有一沟槽,所述沟槽中设置有一顶部具有开口的引线;所述第二晶圆与所述引线除开口外的上方覆盖一层第二介电层,所述第二介电层填充所述沟槽;除沟槽上方的所述第二介电层的上表面设置有若干等距间隔的金属隔离栅;相邻所述金属隔离栅之间设置有彩色滤光片,且所述彩色滤光片的顶部与所述金属隔离栅的顶部齐平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410526222.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的