[发明专利]一种图像传感器制备工艺在审
| 申请号： | 201410526463.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104253139A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 胡思平;朱继锋;肖胜安;董金文 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种图像传感器制备工艺，包括如下步骤：步骤S1、提供一半导体结构，所述半导体结构的顶部设置有沟槽，所述沟槽中形成有引线，所述半导体结构顶部和所述沟槽暴露的表面覆盖有第一介电层；步骤S2：沉积第二介电层覆盖在所述第一介电层和所述引线的上表面并将所述沟槽进行填充；步骤S3：进行一反刻蚀的工艺，以降低所述第二介电层的厚度，并在沟槽上方的第二介电层表面形成凸状结构；步骤S4：对所述第二介电层进行平坦化处理，藉由所述凸状结构来提高所述第二介电层的研磨后的表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种图像传感器制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一半导体结构，所述半导体结构的顶部设置有沟槽，所述沟槽中形成有引线，所述半导体结构顶部和所述沟槽暴露的表面覆盖有第一介电层；步骤S2：沉积第二介电层覆盖在所述第一介电层和所述引线的上表面并将所述沟槽进行填充；步骤S3：进行一反刻蚀的工艺，以降低所述第二介电层的厚度，并在沟槽上方的第二介电层表面形成凸状结构；步骤S4：对所述第二介电层进行平坦化处理，藉由所述凸状结构来提高所述第二介电层的研磨后的表面平整度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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