[发明专利]MEMS和CMOS集成芯片及传感器在审
| 申请号： | 201410527558.5 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105565250A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 付世;郭梅寒 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01D5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS和CMOS集成芯片及传感器，包括：第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子和机械结构层；在第一衬底上形成有第一CMOS结构，在第二衬底上形成有第二CMOS结构，机械结构层形成有第一MEMS结构，且第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接；在第一衬底中形成有至少一个第一过孔，第一过孔的一端与第一CMOS结构电性连接，且第一过孔的另一端与相应的连接端子电性连接，和/或，在第二衬底中形成有至少一个第二过孔，第二过孔的一端与第二CMOS结构电性连接，且第二过孔的另一端与相应的连接端子电性连接。上述方案有效的缩小了CMOS结构的占用集成芯片的面积，进而缩小了MEMS和CMOS集成芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | mems cmos 集成 芯片 传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，包括：第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子，以及，位于所述第一衬底和第二衬底之间的机械结构层；其中，在所述第一衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第一CMOS结构，在所述第二衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第二CMOS结构，所述机械结构层形成有第一MEMS结构，且所述第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接；在所述第一衬底中形成有至少一个第一过孔，所述第一过孔的一端与所述第一CMOS结构电性连接，且所述第一过孔的另一端与相应的所述连接端子电性连接，和/或，在所述第二衬底中形成有至少一个第二过孔，所述第二过孔的一端与所述第二CMOS结构电性连接，且所述第二过孔的另一端与相应的所述连接端子电性连接。
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