[发明专利]保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用在审
| 申请号： | 201410527728.X | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105568108A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 武荣荣;胡凤霞;刘瑶;王晶;章明;赵莹莹;沈斐然;孙继荣;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;C22F1/16;H01F1/01 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用，所述方法包括去除粒径小于100μm的颗粒，所述MnNiGe基材料为Mn1-xFexNiGe或MnNi1-yFeyGe，其中，0.08<x≤0.26，0.10≤y≤0.27。本发明的优势在于：具有Ni2In型六角结构的Mn1-xFexNiGe和MnNi1-yFeyGe材料具有磁共结构相变的特点，相变前后具有大的体积差，材料易碎，新制备出的样品往往已碎成粉末。为了保持和块材一样优秀的磁性能，材料实际应用过程中需要筛除掉粒径小于100μm的颗粒。本发明对于MnNiGe:Fe材料在磁驱动、磁换能、磁制冷等领域的应用具有重要的实际意义。 | ||
| 搜索关键词： | 保持 mnnige 基材 强磁共 结构 相变 方法 应用 | ||
【主权项】：
保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法，所述方法包括去除粒径小于100μm的颗粒，所述MnNiGe基材料为Mn1‑xFexNiGe或MnNi1‑yFeyGe，其中，0.08<x≤0.26，0.10≤y≤0.27。
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