[发明专利]仿真系统有效

专利信息
申请号: 201410528021.0 申请日: 2014-10-09
公开(公告)号: CN105573924B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 许国泰 申请(专利权)人: 上海华虹集成电路有限责任公司
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种仿真系统,仿真芯片通过第一标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作;管理模块通过通信接口从集成开发环境接收指令,通过第一标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作,通过控制信号控制仿真芯片进入或退出复位状态,通过第二标准数据/地址总线对非易失性存储器进行读写操作;用户在集成开发环境上通过通信接口向管理模块发出保存数据指令;仿真芯片进入复位状态后,不能通过第一标准数据/地址总线操作SRAM存储器;仿真芯片退出复位状态后,仿真芯片能通过第一标准数据/地址总线操作SRAM存储器。本发明使用SRAM替代芯片的非易失性存储器,模拟等效实现非易失性存储器的掉电数据不丢失的特性。 1
搜索关键词: 标准数据 地址总线 存储器 仿真芯片 非易失性存储器 读写操作 复位状态 集成开发环境 仿真系统 管理模块 通信接口 芯片 保存数据 接收指令 控制仿真 控制信号 退出 掉电 指令 替代
【主权项】:
1.一种仿真系统,其特征在于:包括处理器芯片仿真器和安装在电脑上的集成开发环境;所述处理器芯片仿真器包括仿真芯片,SRAM存储器,管理模块,非易失性存储器;所述仿真芯片通过第一标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作;所述管理模块通过通信接口从集成开发环境接收指令;该管理模块通过第一标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作;所述管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入或退出复位状态;该管理模块通过第二标准数据/地址总线对非易失性存储器进行读写操作;用户在所述集成开发环境上通过通信接口向管理模块发出保存数据指令;仿真芯片进入复位状态后,不能通过第一标准数据/地址总线操作SRAM存储器;仿真芯片退出复位状态后,仿真芯片能通过第一标准数据/地址总线操作SRAM存储器;仿真系统下电前,用户在集成开发环境上通过通信接口向管理模块发出保存数据指令,管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入复位状态;管理模块通过第一标准数据/地址总线从SRAM读取出所有数据,然后通过第二标准数据/地址总线把这些数据全部写入非易失性存储器中;仿真系统重新上电,管理模块首先通过控制信号控制仿真芯片进入复位状态,然后管理模块通过第二标准数据/地址总线从非易失性存储器读取出所有数据,再通过第一标准数据/地址总线把这些数据全部写入SRAM存储器中;最后管理模块通过控制信号控制仿真芯片退出复位状态。
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