[发明专利]石斛的高产种植方法有效
申请号: | 201410528102.0 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN104303765A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 冯小龙 | 申请(专利权)人: | 江苏神草生物科技有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01H4/00 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 刘述生 |
地址: | 215228 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种石斛的高产种植方法,步骤包括:离体育苗、移植培育和采收。通过上述方式,本发明石斛的高产种植方法,不仅可以大大的提高石斛的产量,而且可以有效的防止幼苗受到病虫害的威胁,提高了石斛的品质。 | ||
搜索关键词: | 石斛 高产 种植 方法 | ||
【主权项】:
一种石斛的高产种植方法,其特征在于,步骤包括:一.离体育苗:配置不定芽诱导培养基,并对不定芽诱导培养基进行消毒杀菌;选择石斛的无病虫害的叶片和嫩茎作为外植体,用消毒过的刀具将外植体剪下来,所述外植体的长度为0.5cm‑1cm;将外植体放入不定芽诱导培养基中进行培养;15‑20天后,配置增殖培养基,并对增殖培养基进行消毒杀菌;选择长出新芽的外植体,将带有新芽的外植体放入到增殖培养基中,培养10‑15天;配置生根培养基,并对生根培养基进行消毒杀菌;选择长出丛芽的外植体,并将其放入到生根培养基中进行培养;二.移植培育:选择湿润、弱光、通风、砂质土壤的种植田,并结合深耕施基肥;在种植田中作宽30‑40cm,长100‑120cm,高15‑17cm的畦;在种植田上搭1.5‑2.0m的荫棚,荫棚中的温度为15‑30℃,湿度为60%—90%;在种植田中均匀的播撒树皮、木屑和苔藓;20‑30天后,选择具有发达根系的外植体作为再生植株,并在再生植株的根部包裹一层苔藓;按照10‑20cm的株行距,将再生植株移栽到种植田内,用细砂或小砾石填埋至7‑10cm ,压紧后浇定根水;栽种后第二年开始,在3‑4月和10‑11月里,进行一次除草并追施腐熟农家肥的上清液;每年在5‑10月间,每隔1‑2个月,用质量比为2%的过磷酸钙或1%的硫酸钾进行根外施肥;每年春季发芽前或采收石斛时,应剪去部分老枝和枯枝,以及生长过密的茎枝,使得荫蔽度为55%‑65%;三.采收:栽培2‑3年后,在10‑4月间进行采收时,用剪刀或镰刀从茎基部将老植株剪下来,保留嫩株。
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