[发明专利]全钒液流电池用阳/增强/阴两性复合膜及其制备方法有效
申请号: | 201410528904.1 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN104282923A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 赵丽娜;肖伟;刘建国;严川伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01M8/02 | 分类号: | H01M8/02;B32B27/06 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及全钒氧化还原液流电池(VRB)用离子交换膜领域,特别涉及一种全钒液流电池用阳/增强/阴两性复合膜及其制备方法,解决目前使用的质子交换膜钒离子透过率高、价格昂贵等问题。将阴离子交换树脂氯甲基化、再进行季铵化改性,制备不同离子交换容量的季铵化阴离子交换树脂,分别将改性阴离子交换树脂和全氟磺酸树脂通过有机溶剂溶解,进而利用分步流延法,用基膜作为连接层,通过调整成膜温度、浓度、时间制备全氟磺酸阳/增强/阴两性复合膜。本发明制备的复合隔膜具有良好的阻钒性能、机械性能、化学稳定性以及良好的单个VRB电池性能、成本低廉等优点,可广泛地应用于全钒氧化还原液流电池领域。 | ||
搜索关键词: | 全钒液 流电 池用阳 增强 两性 复合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种全钒液流电池用阳/增强/阴两性复合膜,其特征在于,全氟磺酸膜/增强基膜/阴膜两性复合膜,包括增强基膜、全氟磺酸膜、阴膜,增强基膜的两侧分别为全氟磺酸膜和阴膜,复合膜中各界面接触良好,无分割现象;全氟磺酸膜/增强基膜/阴膜两性复合膜厚度为160~240μm,全氟磺酸膜的厚度为40~100微米,阴膜厚度为40~100微米、增强基膜的厚度为20~40微米。
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