[发明专利]形成连接至多个穿透硅通孔(TSV)的图案化金属焊盘的机制有效
| 申请号： | 201410529680.6 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104576585B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘醇鸿;黄诗雯;吕宗育;胡宪斌;侯上勇;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于形成三维集成电路(3DIC)结构的机制的各种实施例。该3DIC结构包括接合至管芯的插入件和衬底。插入件具有连接到图案化的金属焊盘的穿透硅通孔(TSV)的导电结构和位于TSV的相对端的导电结构。图案化的金属焊盘具有嵌入其中的介电结构以减少凹陷效应，并具有位于TSV上方的没有介电结构的区域。导电结构具有2个或多个TSV。通过使用图案化的金属焊盘和2个或更多的TSV，提高了导电结构和3DIC结构的可靠性和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电结构 金属焊盘 图案化 穿透硅通孔 介电结构 插入件 三维集成电路 图案化金属 凹陷效应 接合 良品率 衬底 管芯 焊盘 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种插入件结构，包括：两个或多个穿透硅通孔(TSV)；图案化金属焊盘，其中，所述两个或多个穿透硅通孔物理连接至所述图案化金属焊盘，其中，所述图案化金属焊盘具有位于所述图案化金属焊盘中的嵌入式介电结构，其中，所述嵌入式介电结构不在所述两个或多个穿透硅通孔的上方；以及导电结构，物理连接至所述两个或多个穿透硅通孔的与所述图案化金属焊盘相对的端；其中，所述图案化金属焊盘的所述嵌入式介电结构具有位于所述图案化金属焊盘的中心的第一介电结构，其中，所述第一介电结构的宽度与所述图案化金属焊盘的宽度的比率在1/4和1/2的范围内。
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