[发明专利]铜导线结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410530974.0 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105280548A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 董寰乾;黄宏胜 | 申请（专利权）人： | 中国钢铁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种铜导线结构及其制造方法。该铜导线结构包括一硅铝氧化物缓冲层及一图案化铜导线层。该硅铝氧化物缓冲层形成于一透明基板上。该图案化铜导线层形成于该硅铝氧化物缓冲层上。由此，可提升图案化铜导线层与透明基板的附着性达到ASTM D3359规范最高的5B等级，且本发明的该硅铝氧化物缓冲层不需刻蚀，因此，可简化工艺刻蚀液配方及缩短刻蚀时间，进而可降低刻蚀液成本及提升刻蚀效率。 | ||
| 搜索关键词： | 导线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铜导线结构，其特征在于，包括：一硅铝氧化物缓冲层，形成于一透明基板上；及一图案化铜导线层，形成于该硅铝氧化物缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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