[发明专利]一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法有效
| 申请号： | 201410531269.2 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104242056A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 唐祖荣;周勇;陈文胜;段利华;吴天伟;田坤 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 隔离 能力 波导 芯片 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，其特征在于，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。
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