[发明专利]光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法有效
| 申请号： | 201410531606.8 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105573068B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 袁文勋;陈杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/16;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶的去除方法和光刻工艺的返工方法，通过首先使晶圆高速旋转，同时使用光刻胶稀释剂RRC溶解掉所述晶圆表面的部分厚度的光刻胶层，在溶解所述部分厚度光刻胶层的同时，所述光刻胶稀释剂RRC将光刻胶层中的比较大的颗粒缺陷冲走；然后再使用氧气等离子体去除剩余的光刻胶层，接着使用湿法清洗所述晶圆的表面，可以有效地完全去除所述光刻胶内的颗粒缺陷，减少了后续刻蚀工艺中出现图形失真缺陷的概率，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 工艺 返工 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面有光刻胶层，所述光刻胶层内具有颗粒杂质；在所述光刻胶层表面涂覆光刻胶稀释剂RRC，通过所述光刻胶稀释剂RRC溶解去除部分厚度的所述光刻胶层，所述光刻胶稀释剂RRC包括丙二醇甲醚、乙酸丙二醇甲酯、OK73稀释剂、环已酮、ν‑丁内酯中的一种或者两种；涂覆所述光刻胶稀释剂RRC的过程包括：将所述晶圆送入旋涂设备内，并将所述晶圆吸附在所述旋涂设备的真空吸盘上；旋转所述晶圆，所述晶圆的旋转速率大于2000rpm，并自所述晶圆表面的中央区域至所述晶圆表面的边缘往返喷涂所述光刻胶稀释剂RRC；停止喷涂所述光刻胶稀释剂RRC，并将所述晶圆旋干；停止旋转所述晶圆；将所述晶圆从所述旋涂设备中取出；使用等离子体灰化去除剩余的所述光刻胶层；使用湿法清洗所述晶圆的表面。
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