[发明专利]一种微波等离子体辅助的多晶硅提纯方法无效
| 申请号： | 201410531694.1 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104310405A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 洪礼清;刘仁源;彭迟香;江永;李季;程正 | 申请（专利权）人： | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 523871 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微波等离子体辅助的多晶硅提纯方法，将硅料放置于真空中频感应炉的石墨坩埚后，将炉体抽真空至压力≤1Pa；开启中频电源，以10～100℃/min的速率升温至1500～1650℃，加热直至硅料完全熔化；开启微波源，通入反应气体，进行反应熔炼；熔炼结束后，进行浇铸，得到纯度＞99.999％的高纯多晶硅。本发明结合了真空中频精炼和微波等离子体反应加热进行除杂，反应条件温和，提纯效果明显，降低了能耗，有利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 辅助 多晶 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种微波等离子体辅助的多晶硅提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将硅料放置于反应炉的石墨坩埚后，将炉体抽真空至压力≤1Pa；2)开启中频电源，以10～100℃/min的速率升温至1500～1650℃，加热直至硅料完全熔化；3)开启微波源，通入反应气体，进行反应熔炼；4)熔炼结束后，进行浇铸，得到纯度＞99.999％的高纯多晶硅；所述反应炉是指具有减压模块、中频感应加热模块和微波发生模块的反应炉。
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