[发明专利]一种大面积硫化镉薄膜的制备方法

摘要

一种基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法高氨条件下制备大面积硫化镉薄膜制备方法，其特征在于：衬底由玻璃衬底上制备用磁控溅射法制备钼电极并且用共蒸发的方法制备铜铟镓硒薄膜，在该复合衬底表面用化学水浴法在高氨条件下制备CdS薄膜。本发明的优点是：该种基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法高氨条件下制备大面积硫化镉薄膜制备方法结晶质量好，致密无针孔，可重复性好并且具有高效率沉积薄膜，有很好的附着性并且具有高的透过率其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用，在工业生产中具有极其重要的应用前景。

主权项

基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法高氨条件下制备大面积硫化镉薄膜制备。其特征在于：衬底由玻璃衬底上制备的MO和CIGS复合衬底构成，使用水浴锅是带有磁力转子改善温度梯度的大口径的水浴锅。使用不带有缓冲剂的氨水浓度较高的化学水浴方法制备面积为10cm×10cm的CdS薄膜。