[发明专利]固态非易失性存储单元的部分重新编程有效
| 申请号： | 201410534322.4 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104332178B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | A·克利亚;V·沃迪;R·V·鲍曼 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了固态非易失性存储单元的部分重新编程。一种管理如闪存阵列的存储器中数据的方法和装置。根据一些实施例，数据被写入到固态非易失性存储单元的集合，从而该集合中的每个存储单元被写入至相关初始编程状态。检测该集合中的所选存储单元的编程状态的漂移，对所选存储单元进行部分重新编程，以使得所选存储单元返回到相关初始编程状态。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 非易失性 存储 单元 部分 重新 编程 | ||
【主权项】：
1.一种用于数据管理的方法，包括将数据写入固态非易失性存储单元的集合中，使得所述集合中的每个存储单元被写入到相关的初始编程状态；检测所述集合中的所选的存储单元的编程状态的漂移；以及将所选存储单元部分地重新编程以使被选中的存储单元返回到相关的初始编程状态，其中，所述集合中的至少一个其它存储单元未被部分地重新编程，其中应用电荷的多个第一增量来将所选择的存储单元编程到初始化编程状态，并且其中随后施加电荷的多个第二增量以将所选存储单元部分地重新编程返回到初始编程状态，其中所述第二增量小于所述第一增量。
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