[发明专利]一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410534795.4 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104299999B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;潘沛霖;王康;刘东;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L29/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要有衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层以及复合栅介质层，在势垒层上形成与其成欧姆接触的源极、漏极以及成MIS结构的栅极，复合栅介质层由高低不同介电常数的栅介质层组成，由此在沟道层的栅介质层界面形成电场峰值，在电场峰值处存在电子漂移速度的峰值，使电子在沟道整体的漂移速度增加，同时低介电常数栅介质层使栅电容减小，使器件的频率特性提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 介质 氮化 镓基异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其结构由下至上依次主要有衬底(101)，氮化镓缓冲层(102)，氮化镓沟道层(103)以及铝镓氮势垒层(104)，在所述铝镓氮势垒层(104)上表面的两端分别设有源极(106)、漏极(107)，所述源极(106)和漏极(107)均与所述铝镓氮势垒层(104)成欧姆接触，其特征在于，在所述源极(106)与漏极(107)之间、并于铝镓氮势垒层(104)上表面还设有复合栅介质层，在所述复合栅介质层上表面形成与所述复合栅介质层成MIS结构的栅极(108)，所述复合栅介质层由介电常数不同的高介电常数栅介质层(201)与低介电常数栅介质层(202)横向连接组成，所述高介电常数栅介质层(201)所用材料的介电常数大于所述低介电常数栅介质层(202)所用材料的介电常数，所述高介电常数栅介质层(201)的另一侧与所述源极(106)邻接，所述低介电常数介质层(202)的另一侧与所述漏极(107)邻接。
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