[发明专利]深沟槽电容器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410534883.4 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105575801A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杨承 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/334 | 分类号： | H01L21/334;H01L21/28;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种深沟槽电容器件的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在半导体衬底中形成第一深沟槽；步骤S2，在距半导体衬底表面0.3～1μm以下的第一深沟槽周围的半导体衬底中形成掩埋电极；步骤S3，在第一深沟槽中设置填充材料；步骤S4，实施CMOS前端工艺，得到位于半导体衬底上的层间介质层；步骤S5，对层间介质层进行刻蚀使填充材料裸露；步骤S6，去除填充材料，使第一深沟槽的侧壁裸露形成第二深沟槽；以及步骤S7，在第二深沟槽中设置依次远离第二深沟槽侧壁的介电材料层和上电极。采用填充材料避免了CMOS前端工艺对深沟槽结构以及介电材料层的破坏，使得所形成的介电材料层保持较高的电荷容量和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 电容 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽电容器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在半导体衬底中形成第一深沟槽；步骤S2，在距所述半导体衬底表面0.3～1μm以下的所述第一深沟槽周围的半导体衬底中形成掩埋电极；步骤S3，在所述第一深沟槽中设置填充材料；步骤S4，实施CMOS前端工艺，得到位于所述半导体衬底上的层间介质层；步骤S5，对所述层间介质层进行刻蚀使所述填充材料裸露；步骤S6，去除所述填充材料，使所述第一深沟槽的侧壁裸露形成第二深沟槽；以及步骤S7，在所述第二深沟槽中设置依次远离所述第二深沟槽侧壁的介电材料层和上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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