[发明专利]一种压控电流源步进电机驱动装置有效

专利信息
申请号: 201410535315.6 申请日: 2014-10-13
公开(公告)号: CN104283470A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 谢年生;夏俊生;房建峰;张剑 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: H02P8/20 分类号: H02P8/20;H02P8/12;H02H9/04
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233042 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种压控电流源步进电机驱动装置,包括用于驱动步进电机的H桥控制单元,H桥控制单元的四个功率器件分别通过第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路与第四开关电路控制功率器件的通断;驱动装置还包括用于控制步进电机绕组电流的压控电流源电路,压控电流源电路包括运算放大器(N2)与达林顿管(Q9),通过开关电路驱动H桥的MOS管,使H桥控制单元按序导通,实现对步进电机的转动方向的控制;通过压控电流源电路实现控制电压对流经步进电机绕组电流的控制,从而达到控制步进电机速度的目的,达林顿管工作在线性区,遏制了步进电机绕组的电压过冲现象及H桥驱动的直通现象,无需增加死区的时序控制及瞬态过压吸收电路,结构简单可靠性高。
搜索关键词: 一种 电流 步进 电机 驱动 装置
【主权项】:
一种压控电流源步进电机驱动装置,包括用于驱动步进电机的H桥控制单元,H桥控制单元包括位于高端的左上臂PMOS管(Q1)与右上臂PMOS管(Q2),以及位于低端的左下臂NMOS管(Q3)与右下臂NMOS管(Q4),左上臂PMOS管(Q1)与右下臂NMOS管(Q4)构成第一通路,右上臂PMOS管(Q2)与左下臂NMOS管(Q3)构成第二通路,其特征在于,所述左上臂PMOS管(Q1)与右上臂PMOS管(Q2)的栅极分别连接有控制PMOS管通断、结构相同的第一开关电路(1)与第二开关电路(2),左下臂NMOS管(Q3)与右下臂NMOS管(Q4)的栅极分别连接有控制NMOS管通断、结构相同的第三开关电路(3)与第四开关电路(4);所述驱动装置还包括用于控制步进电机绕组电流的压控电流源电路,压控电流源电路包括运算放大器(N2)与达林顿管(Q9),控制电压(USR3)经电阻R31输入运算放大器(N2)的同向输入端,运算放大器(N2)的反向输入端经电阻R32连接达林顿管(Q9)的发射极,运算放大器(N2)的输出端连接达林顿管(Q9)的基极,达林顿管(Q9)的集电极与H桥控制单元的低端相连,达林顿管(Q9)的发射极通过电阻R34接地。
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