[发明专利]一种MEMS器件的真空封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410535317.5 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN104355285A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈博;黄斌;何凯旋;王新龙;陈璞;王鹏;刘磊;王文婧;郭群英 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 真空 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。
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