[发明专利]一种沟槽MOS单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201410536089.3 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104241340B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 邓文杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44545 深圳众邦专利代理有限公司 | 代理人： | 崔亚军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽MOS单元及其制备方法。其中，一种沟槽MOS单元，其包括离子参杂区。采用上述方案，本发明通过在沟槽刻蚀之后生长牺牲氧化层之前通过补充注入与外延同型离子，包括N+外延补注砷或者磷/P‑外延补注硼或者硼氟化合物，以增加外延层的离子浓度，降低外延层的电阻，即降低漏极‑源极之间的电阻达到降低导通电阻的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽MOS单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：沟槽刻蚀完成后，额外进行若干微刻蚀，植入与外延层同型离子，根据目标导通电阻设置离子掺杂区中的离子比例；所述微刻蚀包括在沟槽底部或者壁部刻蚀微型沟槽；其中，将外延层分为若干区域，最内层区域为圆形或椭圆形，其外套设若干环形区域，从最内层区域到各环形区域，每一区域注入相异能量与剂量的相同或相异离子，内部区域的能量与剂量大于外部区域的能量与剂量，并且，根据区域的面积差异设置各区域能量与剂量的差值，每一区域的面积与其能量和剂量的积为一特定数值，各区域的该特定数值相等设置。/n
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