[发明专利]用于检测栅极的底部缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410541821.6 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105513986B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于检测栅极的底部缺陷的方法。其中该栅极位于芯片中，该方法包括：去除芯片中位于栅极的上表面上的部分；湿法刻蚀去除栅极下方的栅氧化物层和栅极侧壁上的侧壁氧化物层；将栅极的上表面粘结在粘结板上；检测栅极的底部缺陷。该方法通过去除芯片中位于栅极的上表面上的部分，湿法刻蚀去除栅极下方的栅氧化物层和栅极侧壁上的侧壁氧化物层，并将栅极的上表面粘结在粘结板上，从而能够从上方直接观察栅极的底部，进而实现了更有效地、更准确地检测栅极的底部缺陷的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 栅极 底部 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测栅极的底部缺陷的方法，所述栅极位于芯片中，其特征在于，所述方法包括：去除所述芯片中位于所述栅极的上表面上的部分；湿法刻蚀去除所述栅极下方的栅氧化物层和所述栅极侧壁上的侧壁氧化物层；在所述湿法刻蚀的步骤中，采用HF溶液和CH3COOH溶液的混合液作为刻蚀液，所述HF溶液中HF的质量分数为49％，所述CH3COOH溶液中CH3COOH的质量分数为98％，所述HF溶液和所述CH3COOH溶液的体积比为1：1；在所述湿法刻蚀的步骤中，刻蚀温度为20～45℃，刻蚀时间为2～4min；将所述栅极的上表面粘结在粘结板上；检测所述栅极的底部缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
