[发明专利]FinFET鳍片的制作方法

摘要

本申请提供了一种FinFET鳍片的制作方法。该制作方法包括：在绝缘体上硅上设置硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层和部分绝缘体上硅，形成相互隔离的条形结构；在条形结构之间的绝缘体上硅上设置氧化层；回蚀部分硬掩膜层，使氧化层的部分侧壁暴露；刻蚀氧化层使暴露出的氧化层侧壁形成缺角；以及回蚀部分氧化层，得到鳍片。氧化层经过刻蚀后在侧壁形成缺角，使靠近条形结构的氧化层的高度低于其余部分氧化层的高度，进而使得靠近条形结构的氧化层的刻蚀时间较短，在其余部分氧化层刻蚀完成时靠近条形结构的氧化层也被刻蚀完全，避免了在鳍片底部附近残留氧化硅，从而避免了footing效应造成的晶体管特性劣化的弊端，进一步降低绝缘体上硅的损伤。

主权项

1.一种FinFET鳍片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在绝缘体上硅上设置硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和部分所述绝缘体上硅，形成相互隔离的条形结构；在所述条形结构之间的所述绝缘体上硅上设置氧化层；回蚀部分所述硬掩膜层，使所述氧化层的部分侧壁暴露；刻蚀所述氧化层使所述暴露出的氧化层侧壁形成缺角，且刻蚀所述氧化层后对应于所述条形结构的所述绝缘体上硅上还残留有部分所述硬掩膜层；以及回蚀部分所述氧化层，得到所述鳍片。