[发明专利]MOS晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410542153.9 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105514164A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MOS晶体管及其制备方法。该MOS晶体管包括衬底、栅极、应变层和源漏极外延层；衬底其表面上具有凸起部；栅极位于凸起部的上表面上，凸起部的两侧靠近栅极的位置上形成有源漏极；应变层环绕凸起部位于衬底的表面上，应变层的上表面低于凸起部的上表面；以及源漏极外延层位于凸起部中形成有源漏极的两侧，并位于应变层的上方。该MOS晶体管将源漏极设置在凸起部中两侧靠近栅极的位置，并在凸起部周围设置应变层。应变层具有较高的应力，能向源漏极间的导电沟道施加较高的应力，使导电沟道的载流子迁移率相应提高。且在衬底的凸起部整体引入应变层，有利于进一步提高导电沟道的应力，进而进一步提高导电沟道的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管包括：衬底，其表面上具有凸起部；栅极，位于所述凸起部的上表面上，所述凸起部的两侧靠近所述栅极的位置上形成有源漏极；应变层，环绕所述凸起部位于所述衬底的表面上，所述应变层的上表面低于所述凸起部的上表面；以及源漏极外延层，位于所述凸起部中形成有所述源漏极的两侧，并位于所述应变层的上方。
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