[发明专利]一种绝热逻辑电路及一位全加器有效
申请号: | 201410542194.8 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN104410404B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 胡建平;耿烨亮 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种绝热逻辑电路,特点是包括逻辑赋值电路、能量恢复电路和第一NMOS管,能量恢复电路由第一PMOS管和第二PMOS管构成;优点是电路仅需要对单个模块的逻辑赋值电路输入逻辑信号,而且正相输出信号从第一PMOS管的栅极输出,反相输出信号从逻辑赋值电路的能量传输端输出,以上电路结构采用了单轨输入、双轨输出的信号传输方式,不但简化了电路设计,减少了晶管体数量,使本电路与其它单元电路的级联更容易;另外,由于逻辑赋值电路的能量传输端与第一NMOS管的栅极连接,第一NMOS管起到钳位的功能,一定程度上避免了输出节点悬空,改善了电路的输出性能,最终有效地降低了整体电路的功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 绝热 逻辑电路 一位 全加器 | ||
【主权项】:
一种绝热逻辑电路,其特征在于包括逻辑赋值电路、能量恢复电路和第一NMOS管,所述的能量恢复电路由第一PMOS管和第二PMOS管构成,所述的第一PMOS管的漏极分别与所述的第一PMOS管的衬底、所述的第二PMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的衬底及外部功率时钟信号端连接,所述的第一PMOS管的栅极分别与所述的第二PMOS管的源极及所述的第一NMOS管的漏极连接,所述的第一PMOS管的源极分别与所述的第二PMOS管的栅极、所述的逻辑赋值电路的能量传输端及所述的第一NMOS管的栅极连接,所述的逻辑赋值电路的接地端分别与外部接地端及所述的第一NMOS管的源极连接,所述的逻辑赋值电路包括第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管和第十三NMOS管,所述的第九NMOS管的漏极分别与所述的第十NMOS管的漏极、所述的第十一NMOS管的漏极及所述的第一PMOS管的源极连接,所述的第九NMOS管的源极与所述的第十二NMOS管的漏极连接,所述的第九NMOS管的栅极与所述的第十一NMOS管的栅极连接,所述的第十二NMOS管的源极分别与外部接地端及所述的第十三NMOS管的源极连接,所述的第十NMOS管的源极分别与所述的第十一NMOS管的源极及所述的第十三NMOS管的漏极连接,所述的第十NMOS管的栅极与所述的第十二NMOS管的栅极连接。
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