[发明专利]化学机械抛光方法、其抛光时间制程的设置方法及晶圆有效
申请号: | 201410542490.8 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN105563301B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 李一斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;H01L21/304 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 吴贵明,张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种化学机械抛光的抛光时间制程的设置方法、化学机械抛光方法及晶圆。其中,该设置方法包括以下步骤建立抛光垫使用时间和抛光时间的关系式Y=aX+b,其中Y为抛光时间,X为抛光垫使用时间,b为刚开始使用抛光垫时对应的抛光时间,a为抛光时间的补偿系数,且a>0;按照关系式Y=aX+b设置抛光机台中的抛光时间制程,以使得抛光机台随着抛光垫使用时间的增加对抛光时间进行动态调整。该设置方法实现了随着所述抛光垫使用时间的增加对抛光时间进行动态调整的目的,进而减少了化学机械抛光过程中由于抛光时间制程固定不变造成的晶圆被过度抛光的几率。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 方法 抛光 时间 设置 | ||
【主权项】:
一种化学机械抛光的抛光时间制程的设置方法,其特征在于,所述设置方法包括以下步骤:建立抛光垫使用时间和抛光时间的关系式Y=aX+b,其中Y为所述抛光时间,单位为秒,X为所述抛光垫使用时间,单位为个,b为刚开始使用所述抛光垫时对应的所述抛光时间,单位为秒,a为所述抛光时间的补偿系数,单位秒/个且a>0;按照所述关系式Y=aX+b设置抛光机台中的抛光时间制程,以使得所述抛光机台随着所述抛光垫使用时间的增加对所述抛光时间进行动态调整。
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