[发明专利]灵敏度自适应的图像传感器像素结构

摘要

本发明公开了一种灵敏度自适应的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管，还包括设置于所述光电二极管侧面的晶体管电容和电荷存储区；晶体管电容的栅极多晶硅深入到半导体硅基体中，晶体管电容的沟道为光电二极管区，电荷存储区与所述晶体管电容的栅极多晶硅相接触，并且与光电二极管区相连，电荷存储区为所述电荷传输晶体管的源极端。本发明像素压缩了强光环境下的感光灵敏度，拓展了像素的感光动态范围，像素采集到了更多高照明时的实物信息。

主权项

一种灵敏度自适应的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管，其特征在于，还包括设置于所述光电二极管侧面的晶体管电容和电荷存储区；所述晶体管电容的栅极多晶硅深入到半导体基体中，所述晶体管电容的沟道为光电二极管区，所述电荷存储区与所述晶体管电容的栅极多晶硅相接触，并且与所述光电二极管区相连，所述电荷存储区为所述电荷传输晶体管的源极端。