[发明专利]等离子体处理方法

摘要

目的在于提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。提供一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括去除工序：通过由含有卤素、氢气和碳的第一气体生成的等离子体去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物。

主权项

1.一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括：蚀刻工序：通过由含有HBr、He和O2的第二气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，所述第二气体为不含有碳的气体，去除工序：通过第一气体生成的等离子体去除对所述含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物进而形成包含碳键的保护膜，所述第一气体为含有CF4和H2的混合气体，所述混合气体的流量比CH4/H2＝80～120/160～240sccm，所述去除工序将所述蚀刻工序中产生的反应产物去除。