[发明专利]一种基于单根多壁碳管的非易失性存储器及其制备方法在审
申请号: | 201410546440.7 | 申请日: | 2014-10-15 |
公开(公告)号: | CN105514110A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 张健;邓娅;孙连峰 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;侯桂丽 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于单根多壁碳管的非易失性存储器及其制备方法。所述存储器元器件包括基底以及形成于基底上的第一电极、第二电极、第三电极和处于悬空状态的多壁碳管,其中,第一电极用于执行“读”功能;第二电极用于执行“写”功能;第三电极用于执行“擦”功能;多壁碳管的一端固定在第一电极中,另一端开口、悬空。多壁碳管中开口端内层碳管拉出后的长度能够接触到所述第二电极。第三电极加电压能将内层碳管拉回使其与第二电极断开接触。本发明的非易失性存储器具有密度高、速度快、功耗低和可靠性高的特点,从而展现了更为优越的性能和发展潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 单根多壁碳管 非易失性存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于单根多壁碳管的非易失性存储器,包括:基底;第一电极,形成于所述基底上,用于执行“读”功能;第二电极,形成于所述基底上,用于执行“写”功能;第三电极,形成于所述基底上,用于执行“擦”功能;多壁碳管,所述多壁碳管的固定端固定在所述第一电极中,所述多壁碳管的开口端悬空,开口端的内层碳管能被抽出并与第二电极接触;所述第三电极位于所述第一电极和第二电极的中间靠外侧,将第三电极加电压后,能将所述多壁碳管的内层碳管拉回。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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