[发明专利]CMOS低温低噪声运放电路无效
| 申请号： | 201410546517.0 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104362992A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 袁红辉;陈永平;陈世军;宋伟清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/26;H03F1/30 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS低温低噪声运放电路，其偏置电路部分采用多级电流镜套构的方式，参考电流基准采用两个二极管连接的MOS管有源电阻生成，使放大器的参考电流具有较好的温度特性；放大部分采用差分输入的折叠共源共栅结构，一级放大就能使放大器的开环增益大于80dB，克服了传统的二级放大使用的米勒补偿电容在低温77K下容易引起振荡的缺点；差分输入对管采用宽长比大于100的大管子，有利于CMOS放大器噪声性能地提高，该差分运算放大器在常温和低温77K之间都能正常工作，可作为低温CMOS电路设计的标准放大器模块使用，既可以应用在光伏红外探测器电路，也可应用在长波红外光导探测器电路。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 低温 噪声 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS低温低噪声运放电路，包括放大电路模块和偏置电路模块，其特征在于：所述的放大电路模块采用差分输入的折叠共源共栅结构的放大电路，其中差分输入对管采用宽长比大于100的PMOS管，共源共栅结构的开环增益大于80dB；所述的偏置电路模块采用多级电流镜套构的方式，其基准电流部分采用二极管连接方式的有源电阻组成。
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