[发明专利]集成电路结构在审
| 申请号： | 201410547378.3 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105428349A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;吴俊贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由两种元件高度的标准元件组成的集成电路结构，包含至少一包含一第一元件高度的第一标准元件以及至少一包含一第二元件高度的第二标准元件，且该第二元件高度为该第一元件高度的一半。该第一标准元件包含至少一个以上的第一掺杂区与多个第二掺杂区，该第一掺杂区设置于该第一标准元件的中央，该第二掺杂区设置于该第一标准元件的上下两端。该第一掺杂区包含一第一导电类型，该第二掺杂区包含一第二导电类型，该第一导电类型与该第二导电类型彼此互补。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种由两种元件高度的标准元件组成的集成电路结构，包含：至少一第一标准元件，包含一第一元件高度，该第一标准元件包含至少一个以上的第一掺杂区与多个第二掺杂区，该一掺杂区设置于该第一标准元件的中央，该第二掺杂区设置于该第一标准元件的上下两端，该第一掺杂区包含一第一导电类型，该第二掺杂区包含一第二导电类型，且该第一导电类型与该第二导电类型彼此互补；以及至少一第二标准元件，包含一第二元件高度，且该第二元件高度为该第一元件高度的一半。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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