[发明专利]集成电路及其使用的多晶体半导体电阻及制造方法有效
| 申请号： | 201410548958.4 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105023878B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 史中海;文斯·蒂姆斯;田洪 | 申请（专利权）人： | 美国思睿逻辑有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 美国得克萨*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例，集成电路可以包括至少一个浅槽隔离场氧化物区域、至少一个哑元扩散层区域、以及多晶体半导体电阻。该至少一个浅槽隔离场氧化物区域可以形成在半导体基板上。该至少一个哑元扩散层区域邻近该至少一个浅槽隔离场氧化物区域形成在半导体基板上。该多晶体半导体电阻可以包括利用多晶体半导体材料形成的至少一个电阻臂的多晶体半导体电阻，其中该至少一个电阻臂形成在该至少一个浅槽隔离场氧化物区域和该至少一个哑元扩散层区域每个上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基板上 制造 多晶体 电阻 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于集成电路的多晶体半导体电阻的方法，包括：在半导体基板上形成至少一个浅槽隔离场氧化物区域；在半导体基板上形成邻近该至少一个浅槽隔离场氧化物区域的至少一个哑元扩散层区域；以及形成第一多晶体半导体电阻，其中形成第一多晶体半导体电阻包括：用多晶体半导体材料在所述至少一个浅槽隔离场氧化物区域上形成第一电阻臂，用多晶体半导体材料在所述至少一个哑元扩散区域形成第二电阻臂；并且在所述第一电阻臂和所述第二电阻臂之间电耦合用包括除了多晶体半导体材料之外的导电材料互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
