[发明专利]一种光刻胶清洗液在审
| 申请号： | 201410549189.X | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105573069A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 孙广胜;刘兵;郑玢;黄达辉 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除光阻残留物的清洗液含有(a)醇胺；(b)溶剂；(c)C4-C6的多元醇；(d)氮唑衍生物。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，该去除光阻残留物的清洗液不含有水、羟胺和氟化物。对金属铜、铝等极低腐蚀；有非常好的耐水性，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
一种光刻胶清洗液，含有醇胺，溶剂和腐蚀抑制剂，其特征在于，所述腐蚀抑制剂至少包括如下组分： C4‑C6的多元醇 氮唑衍生物。
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