[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供表面具有栅极膜基底，栅极膜表面覆盖有包括硬掩膜材料层以及硅材料层的栅极图形膜；在栅极图形膜表面形成图形层；以图形层为掩膜，刻蚀部分所述栅极图形膜形成栅极图形层，栅极图形层包括硬掩膜层以及位于硬掩膜层表面的硅层，且硅层与第一方向垂直的侧壁表面具有第一线宽粗糙度；对硅层与第一方向垂直的侧壁进行修复刻蚀处理，使得硅层侧壁表面具有小于第一线宽粗糙度的第二线宽粗糙度；以栅极图形层为掩膜刻蚀栅极膜，在基底表面形成栅极；在栅极与第一方向垂直的侧壁两侧的基底内形成源区和漏区。本发明减小栅极图形层的线宽粗糙度，从而提高形成的栅极的质量，优化半导体结构的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面覆盖有栅极膜，所述栅极膜表面覆盖有栅极图形膜，栅极图形膜包括硬掩膜材料层以及位于硬掩膜材料层表面的硅材料层；在所述栅极图形膜表面形成图形层，相邻图形层之间暴露出部分栅极膜表面；以所述图形层为掩膜，刻蚀部分所述栅极图形膜直至暴露出栅极膜表面，形成位于栅极膜表面的栅极图形层，所述栅极图形层包括硬掩膜层以及位于硬掩膜层表面的硅层，且所述硅层与第一方向垂直的侧壁表面具有第一线宽粗糙度；对所述硅层与第一方向垂直的侧壁进行修复刻蚀处理，使得所述硅层侧壁表面具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度；以所述栅极图形层为掩膜，刻蚀所述栅极膜直至暴露出基底表面，在所述基底表面形成栅极；在所述栅极的与第一方向垂直的侧壁两侧的基底内形成源区和漏区。