[发明专利]薄膜太阳电池的加工槽检测方法及加工槽检测装置有效
申请号: | 201410549396.5 | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN104752558B | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 堀井良吾 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜太阳电池的加工槽检测方法及加工槽检测装置。本发明提供一种加工槽检测方法及加工槽检测装置,能准确地检测被加工在薄膜太阳电池用加工品中的光吸收层下侧的加工槽的位置。本发明的加工槽检测方法是于在基板(11)上依次积层下部电极层(12)与光吸收层(13、14)并在下部电极层(12)的一部分加工出下部电极分离用槽(S)的薄膜太阳电池用加工品(W)中,检测被光吸收层(13、14)覆盖的槽(S),且利用配置在光吸收层(13、14)上方侧的红外线摄像装置(16),检测从加工品(W)辐射出的能够透过光吸收层(13、14)的波长区域的摄像用红外光,获取辐射强度分布图像数据,并基于该辐射强度分布图像数据检测下部电极层(12)的槽(S)。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳电池 加工 检测 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种加工槽检测方法,于在基板上依次积层着下部电极层与光吸收层并在所述下部电极层的一部分加工出下部电极分离用槽的薄膜太阳电池用加工品中,检测被所述光吸收层覆盖的所述槽,/n所述加工槽检测方法利用红外线摄像装置检测作为辐射红外光从所述加工品辐射出的能够透过所述光吸收层的波长区域的摄像用红外光,获取所述摄像用红外光的辐射强度分布图像数据,所述红外线摄像装置配置在所述光吸收层上方侧,且不检测可见光而检测所述摄像用红外光,/n并基于所述辐射强度分布图像数据检测所述下部电极层的槽。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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