[发明专利]薄膜太阳电池的加工槽检测方法及加工槽检测装置有效

专利信息
申请号: 201410549396.5 申请日: 2014-10-16
公开(公告)号: CN104752558B 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 堀井良吾 申请(专利权)人: 三星钻石工业股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/66
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 沈锦华
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种薄膜太阳电池的加工槽检测方法及加工槽检测装置。本发明提供一种加工槽检测方法及加工槽检测装置,能准确地检测被加工在薄膜太阳电池用加工品中的光吸收层下侧的加工槽的位置。本发明的加工槽检测方法是于在基板(11)上依次积层下部电极层(12)与光吸收层(13、14)并在下部电极层(12)的一部分加工出下部电极分离用槽(S)的薄膜太阳电池用加工品(W)中,检测被光吸收层(13、14)覆盖的槽(S),且利用配置在光吸收层(13、14)上方侧的红外线摄像装置(16),检测从加工品(W)辐射出的能够透过光吸收层(13、14)的波长区域的摄像用红外光,获取辐射强度分布图像数据,并基于该辐射强度分布图像数据检测下部电极层(12)的槽(S)。
搜索关键词: 薄膜 太阳电池 加工 检测 方法 装置
【主权项】:
1.一种加工槽检测方法,于在基板上依次积层着下部电极层与光吸收层并在所述下部电极层的一部分加工出下部电极分离用槽的薄膜太阳电池用加工品中,检测被所述光吸收层覆盖的所述槽,/n所述加工槽检测方法利用红外线摄像装置检测作为辐射红外光从所述加工品辐射出的能够透过所述光吸收层的波长区域的摄像用红外光,获取所述摄像用红外光的辐射强度分布图像数据,所述红外线摄像装置配置在所述光吸收层上方侧,且不检测可见光而检测所述摄像用红外光,/n并基于所述辐射强度分布图像数据检测所述下部电极层的槽。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星钻石工业股份有限公司,未经三星钻石工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410549396.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top