[发明专利]一种一锅法快速制备单层氧化石墨烯的方法有效
申请号: | 201410549893.5 | 申请日: | 2014-10-17 |
公开(公告)号: | CN104355306A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 高超;彭蠡;郑耀臣;许震;魏杨扬;刘峥 | 申请(专利权)人: | 浙江碳谷上希材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310003 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种一锅法快速制备单层氧化石墨烯的方法。将石墨与浓酸或者其混酸在20-50℃下搅拌混合浸润5min-1h,加入强氧化剂和插层剂插层,将混合液缓慢升温至30-100℃并持续搅拌1-10h。随后将反应液降温至20-37℃,补加一定量的浓酸或者其混酸并缓慢加入强氧化剂,20-37℃下反应0.5-3h,升温至安全温度以下10℃继续反应2-8h,以氧化剥离石墨片层。反应完毕后,将所得产物缓慢倒入冰的去离子水中稀释,待稳定后加入双氧水,静止,将沉淀物用1mol/L的稀盐酸和去离子水反复清洗,离心分离得到单层氧化石墨烯。本发明制备过程简单可控,耗时耗能少,通过一锅法快速,直接将石墨转化为单层的氧化石墨烯。 | ||
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【主权项】:
一种一锅法快速制备单层氧化石墨烯的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)将石墨与浓酸或者其混酸在20‑50℃下搅拌混合浸润5min‑1h,加入强氧化剂和插层剂插层;2)缓慢升温至30‑100℃并持续搅拌1‑10h,降温至20‑37℃,补加浓酸或者其混酸并缓慢加入强氧化剂,20‑37℃下反应0.5‑3h,升温至安全温度以下10℃继续反应2‑8h,以氧化剥离石墨片层;3)缓慢倒入冰去离子水中稀释,待稳定后加入双氧水,静止,将沉淀物用1mol/L的稀盐酸和去离子水反复清洗,离心分离得到单层氧化石墨烯。
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