[发明专利]芯片堆叠半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410550291.1 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104576621B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 姜芸炳;赵泰济;鲁炳爀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L23/16;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种芯片堆叠半导体封装件及其制造方法，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有第一前表面、第一后表面以及位于第一前表面上的第一连接构件，第一后表面与第一前表面背对；第二芯片，具有第二前表面、第二后表面、第二连接构件以及电连接到第二连接构件的第一硅通孔(TSV)，第二后表面与第二前表面背对，第二连接构件位于第二前表面上；第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间，第一芯片的第一连接构件和第二芯片的第二连接构件相对于彼此对称。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 堆叠 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片堆叠半导体封装件，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有第一前表面、第一后表面以及位于第一前表面上的第一连接构件，第一后表面与第一前表面背对，第一连接构件具有第一输入/输出焊盘组；第二芯片，具有第二前表面、第二后表面、第二连接构件和第一硅通孔，第一硅通孔电连接到第二连接构件，第二后表面与第二前表面背对，第二连接构件位于第二前表面上，第二连接构件具有与第一输入/输出焊盘组对应的第二输入/输出焊盘组；第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间，第一连接构件的第一输入/输出焊盘组和第二芯片的第二连接构件的第二输入/输出焊盘组是镜面对称的；第三连接构件，位于第二芯片的第二后表面上，第三连接构件不同于第一硅通孔；至少一个第三芯片；以及第四连接构件，电连接到第三连接构件和第三芯片，其中，第二密封构件位于第三连接构件与第四连接构件之间的连接部分上，第二密封构件位于第三芯片的侧表面上。
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