[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410550472.4 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105576026B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 方磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，通过于半导体衬底内预先形成N插入层，然后再进行后续的半导体器件制备工艺，由于该N插入层可以从衬底接收载流子，从而抑制半导体器件的衬底电流和漏极电流，进而抑制了影响器件寿命的热载流子效应，且由于该N插入层位于该半导体器件的沟道区下方，且不与沟道区接触，因此并不会影响半导体器件沟道区的掺杂浓度，进而不会对器件性能造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；采用第一能量向所述半导体衬底内注入第一剂量的N型离子以于所述半导体衬底内形成第一N插入层；于所述半导体衬底的表面形成具有栅极图形的掩膜以将该半导体衬底的部分表面予以覆盖；采用第二能量向所述半导体衬底内注入第二剂量的N型离子以于所述栅极图形正下方的半导体衬底内形成第二N插入层；去除所述掩膜后，向所述半导体衬底内注入P型离子以制备P型阱区，所述第一N插入层变薄形成第三N插入层，所述第二N插入层由于顶部边缘部分被P型离子补偿而形成第四N插入层；其中，所述第一能量大于所述第二能量，所述第一剂量小于等于所述第二剂量。
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