[发明专利]半导体装置

摘要

提供了一种半导体装置，其包括冷却器，在该冷却器中通过改进冷却剂的导入口、排出口的连接部等的形状能够减小连接部等中的压力损失。半导体装置(1)的冷却器(20)包括：设置在壳体(22)的彼此相对的侧壁(22b1、22b2)上成对角的位置处的导入口(27)和排出口(28)；连接到导入口(27)且形成在壳体(22)中的导入路径(24)；连接到排出口(28)且形成在壳体(22)中的排出路径(25)；以及在导入路径(24)和排出路径(25)之间的冷却流路(26)。导入口(27)的开口的高度大于导入路径(24)的高度，在导入口(27)和导入路径(24)之间的连接部(271)包括从连接部(271)的底面朝向导入路径(24)的长度方向倾斜的倾斜面(271b)。

主权项

1.一种半导体装置，其包括：绝缘电路基板；半导体元件，所述半导体元件搭载于所述绝缘电路基板；以及冷却器，所述冷却器冷却连接到所述绝缘电路基板的所述半导体元件，其中所述冷却器包括：散热基板，所述散热基板接合到所述绝缘电路基板；翅片，所述翅片设置于所述散热基板的与所述绝缘电路基板接合的接合面相反的面；壳体，所述壳体容纳所述翅片，并且所述壳体连接到所述散热基板；冷却剂的导入口和排出口，所述导入口和所述排出口设置于所述壳体的彼此相对的侧壁，并且所述导入口和所述排出口设置于所述壳体的对角的位置；导入路径，所述导入路径连接到所述导入口且沿着所述壳体的设置有所述导入口的第一侧壁的内表面形成；排出路径，所述排出路径连接到所述排出口且沿着所述壳体的设置有所述排出口的第二侧壁的内表面形成；以及冷却流路，所述冷却流路形成于所述导入路径和所述排出路径之间的容纳所述翅片的位置处，所述冷却流路的长度方向与所述导入路径的的长度方向正交，并且所述导入口的开口的高度大于所述导入路径的高度，在所述导入口和所述导入路径之间的连接部处设置以从所述连接部的底面开始沿所述导入路径的长度方向越远离所述连接部的底面、高度越小的方式倾斜的倾斜面以及从所述壳体的连接所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三侧壁的外侧朝向所述翅片倾斜的倾斜面。