[发明专利]形成晶体管的方法

摘要

提供了形成晶体管的方法。该方法包括形成多个晶体管结构以便在衬底上具有多个伪栅极。每个伪栅极由小于伪栅极并且对于不同晶体管结构不同的高度的侧壁间隔件围绕，结果得到侧壁间隔件之上的不同深度的凹坑。该方法然后在伪栅极之上以及在多个晶体管结构的凹坑内沉积保形的电介质层，其中该保形的电介质层的厚度为凹坑的宽度的至少一半，仅仅去除保形的电介质层的在伪栅极之上的部分来暴露伪栅极；以及用多个高k金属栅替换伪栅极。

主权项

一种形成晶体管的方法，包括：在半导体衬底上形成多个晶体管结构，所述多个晶体管结构具有多个伪栅极；每个伪栅极由高度小于所述伪栅极的高度的侧壁间隔件围绕；所述伪栅极和侧壁间隔件被嵌入在一个或更多个电介质层内；所述侧壁间隔件的所述高度对于不同的晶体管结构而不同，对于不同的晶体管结构在所述侧壁间隔件之上在所述伪栅极和所述一个或更多个电介质层之间得到不同深度的凹坑；在所述伪栅极之上、在所述多个晶体管结构的所述凹坑内以及在高度高于所述伪栅极的顶表面的所述一个或更多个电介质层之上沉积保形的电介质层，所述保形的电介质层的厚度为所述凹坑的宽度的至少一半并且所述保形的电介质层在所述伪栅极之上的厚度与所述保形的电介质层在所述一个或更多个电介质层之上的厚度相同，其中所述保形的电介质层由与所述一个或更多个电介质层不同的材料形成并且相对于所述一个或更多个电介质层具有足够的刻蚀选择性；去除所述保形的电介质层的在所述伪栅极之上的部分以便暴露所述多个晶体管结构的所述伪栅极；以及用多个高k金属栅替换所述多个晶体管结构的所述伪栅极。