[发明专利]一种使用热管的压接式IGBT封装结构

摘要

本发明提供一种使用热管的压接式IGBT封装结构，由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成，多个子单元并行设置；所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖；所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置，所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组，其下端插入底座；所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间，其下端位于碟簧组和底座之间。本发明中芯片可被有效保护，同时由于使用了热管，功能上实现了双面散热，整体热阻较小；热管的引入，使得虽然单面硬接触，但散热路径依然很好，兼顾了芯片保护和较小的热阻。整体结构具有实现压接式IGBT短路失效、高可靠性等优点。

主权项

一种使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述封装结构由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成，多个子单元并行设置；所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖；所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置，所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组，其下端插入底座；所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间，其下端位于碟簧组和底座之间；所述热管两端封闭，其内部有导热工质，所述导热工质为水或甲醇，用于传输芯片所发出的热量；所述热管的工作温度范围为‑40℃～200℃。